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- 氮化鎵 (GaN) MOSFET
- SGMGB05340
SGMGB05340是硅基氮化鎵E模式功率晶體管，其漏極-源極擊穿電壓和源極-漏極擊穿電壓均大于40V。
PRODUCT SUMMARY
| RDSON & RSDON (TYP) VGS = 6V | RDSON & RSDON (MAX) VGS = 6V | ID & IS (MAX) TC = +25℃ |
|---|---|---|
| 3.6mΩ | 4.8mΩ | 20A |
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特性
- E模式晶體管 - 常閉型功率開關
- 零反向恢復損耗
- 超高開關頻率
- 符合RoHS標準且無鹵素
應用
USB-C
負載開關
OVP保護開關
訂購信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGMGB05340TG/TR | 量產 | WLCSP-2.15×2.15-22B | 22 | YES | YES | YES | YES | MSL1 | -55℃ to +150℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $7/unit 25-99 units : $6/unit 100-249 units : $5/unit 250-499 units : $4/unit 500-999 units : $3.5/unit 1000-9999 units : $2.6/unit | 3K-9K : 42 days 10K-99K : 64 days 100K-999K : 84 days 1000K and above : 119 days |
* 價格僅供參考。請聯系我們的經銷商獲取正式報價。
** 交貨時間僅供參考，可能會根據不同情況而發生變化。
